Trifluorură de clor

Trifluorura de clor este un compus inter-halogen cu formula chimică ClF₃. Acest gaz incolor, otrăvitor, coroziv și extrem de reactiv se condensează la un lichid galben-verzui, forma în care este cel mai adesea vândut (presurizată la temperatura camerei). Compusul este în principal de interes ca o componentă a combustibililor pentru rachete, operațiunilor de curățare și gravare fără plasmă din industria semiconductorilor[4][5][6], în prelucrarea combustibilului din reactorul nuclear[7] și alte operațiuni industriale.

Identificare
Trifluorură de clor

Nume IUPAC	Trifluoro-λ3-chlorane
SMILES FCl(F)F[1]
Număr CAS	7790-91-2
PubChem CID	24637
Informații generale
Formulă chimică	ClF₃
Masă molară	91,964 u.a.m.[2]
Proprietăți
Densitate	1,77 g/cm³[3] la 53 de Fahrenheiti
Starea de agregare	gaz
Punct de topire	−105 Fahrenheit[3]
Punct de fierbere	53 de Fahrenheiti[3] la 760 de Torri
Presiune de vapori	1,4 atmosferă fizicăi[3]
NFPA 704
0 4 4 OS
Sunt folosite unitățile SI și condițiile de temperatură și presiune normale dacă nu s-a specificat altfel.

Note

„Trifluorură de clor”, CHLORINE TRIFLUORIDE (în engleză), PubChem, accesat în 20 noiembrie 2016
„Trifluorură de clor”, CHLORINE TRIFLUORIDE (în engleză), PubChem, accesat în 5 octombrie 2016
http://www.cdc.gov/niosh/npg/npgd0117.html Lipsește sau este vid: |title= (ajutor)
Hitoshi Habuka; Takahiro Sukenobu; Hideyuki Koda; Takashi Takeuchi; Masahiko Aihara (2004). „Silicon Etch Rate Using Chlorine Trifluoride”. Journal of the Electrochemical Society. 151 (11): G783–G787. doi:10.1149/1.1806391.(author ResearchGate link)
United States Patent 5849092 "Process for chlorine trifluoride chamber cleaning" Arhivat în 26 septembrie 2007, la Wayback Machine.
Habuka, Hitoshi. „Etching of Silicon Carbide Using Chlorine Trifluoride Gas”. doi:10.5772/50387.
Board on Environmental Studies and Toxicology, (BEST) (2006). Acute Exposure Guideline Levels for Selected Airborne Chemicals: Volume 5. Washington D.C.: National Academies Press. p. 40. ISBN 0-309-10358-4. (available from National Academies Press)

This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.

[c216e07bcad7cf3353bcba79086a07d4-1] „Trifluorură de clor”, CHLORINE TRIFLUORIDE (în engleză), PubChem, accesat în 20 noiembrie 2016

[5fa1e3122ab1d75a462c2d1a24b7713e-2] „Trifluorură de clor”, CHLORINE TRIFLUORIDE (în engleză), PubChem, accesat în 5 octombrie 2016

[46d3d730976a13e404a8fddaedc01cb6-3] ttp://www.cdc.gov/niosh/npg/npgd0117.html Lipsește sau este vid: |title= (ajutor)

[4] Hitoshi Habuka; Takahiro Sukenobu; Hideyuki Koda; Takashi Takeuchi; Masahiko Aihara (2004). „Silicon Etch Rate Using Chlorine Trifluoride”. Journal of the Electrochemical Society. 151 (11): G783–G787. doi:10.1149/1.1806391.(author ResearchGate link)

[5] United States Patent 5849092 "Process for chlorine trifluoride chamber cleaning" Arhivat în 26 septembrie 2007, la Wayback Machine.

[6] Habuka, Hitoshi. „Etching of Silicon Carbide Using Chlorine Trifluoride Gas”. doi:10.5772/50387.

[7] Board on Environmental Studies and Toxicology, (BEST) (2006). Acute Exposure Guideline Levels for Selected Airborne Chemicals: Volume 5. Washington D.C.: National Academies Press. p. 40. ISBN 0-309-10358-4. (available from National Academies Press)